据两家公司称是自年推出闪存以

asimk15

据称与传统闪存相比的速度和使用寿命提高了倍。新技术的背后是什么推荐按网址兴领英推特反馈英特尔和美光希望通过开创存储技术的新时代。英特尔和美光希望通过开创存储技术的新时代。照片英特尔美光比当前闪存快倍写入周期寿命延长倍封装密度比内存组件高倍凭借这些价值英特尔和美光相当谦虚地谈论了内存技术的突破。两家公司多年来一直在闪存存储领域合作现已开发并推出了 来第一个新的存储类别。

如何工作与闪存一样是非易失性存储器。如果断电信息仍会保留与传统方式相反随机存取存储器在个人电脑和服务器中。该技术不使用晶体管来存 WhatsApp 号码数据 储位信息。英特尔和美光尚未透露具体的技术细节但的原理是基于三维交叉点架构。存储单元通过所谓的选择器单独控制选择器交叉分层放置。正如英特尔所说由于存储单元尺寸较小因此状态可以非常快速地改变并且延迟比传统存储器更低。来自英特尔和美光的技术产品介绍英特尔和美光共同开发了新的内存技术。



照片英特尔美光空间晶格结构与小型无晶体管单元一起实现了高封装密度。最初英特尔和美光正在生产由两层此类存储单元组成的芯片。目前硅芯片上可以实现的容量。然而预计未来存储层数将会增加。据制造商介绍技术可以以方式垂直缩放。和来自闪存组件的类似流程已经存在三星。在这里芯片的容量也是通过多层存储单元堆叠来扩展的目前芯片生产商使用的层数多达层。英特尔正在革新存储技术年月日从克里斯蒂安维尔斯贝克克里斯蒂安维尔斯贝克作者跟随推荐按网址兴领英推特反馈普遍的应用领域的封装密度比普通高约倍但速度较慢。